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第241章 MPCVD(2/2)

说完这些,陈舟停顿了一下,又继续说:“虽然金刚石的储量非常稀少,但是上世纪50年代,人们便已经用石墨合成了人造金刚石。”

随着陈舟的叙述的声音,他旁的沈靖已经目瞪呆了。

顿了顿,她看着陈舟又问:“你刚才说金刚石是一宽禁带温半导材料,怎么看来的?”

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“没错。但不光如此,”潘诗妍补充,“由于金刚石带隙很宽,在半导领域中,既能作为有源件材料,像场效应和功率开关,也能作为像肖特基二极这样的无源件材料。”

原本想着给两个新人上上课的她,却没想到被陈舟给重新上了一遍课。

潘诗妍略显意外的看了陈舟一,没想到这人知的还不少。

“而其电饱和速率在1.5x10^7到2.7x10^7cm/s之间,空饱和速率在0.85x10^7到1.2x10^7cm/s之间,低介电常数是5.7。”

这怎么化学方法都这么熟悉?

当然,更令沈靖惊讶的是,这些内容,他怎么没在文献上看到?

好家伙,你真的是我们数学专业的吗?

是四十三所发的课题资料,还是陈舟给他发的课题资料,都没有……

陈舟看了潘诗妍一,想了想,既然你打开了话题,那我就不客气了。

我怎么看这像是化学系的?

不是,你真的是我们理和数学专业的吗?

陈舟看了众人一,缓缓将目光落在实验装置上,轻声说:“你们采用的制备金刚石薄的方法,应该是微波等离化学气相沉积装置,也就是mpcvd法。”

“虽然后来在20世纪末到21世纪初的时候,受到制备方法的制约,金刚石的研究不太顺利,但随着重复生长法、三维生长法及赛克法的现,促了大尺寸金刚石制备的发展。”

陈舟便说:“金刚石的带隙宽度是5.5ev,它的迁移率在4500cm2/(v·s),空为3800cm2/(v·s),导率在22w/(cm·k),击穿电场在10mv/cm。”

“基于这些优异的能参数,金刚石被认为是制备下一代功率、频、温及低功损耗率电件最有希望的材料。”

“金刚石通过掺杂可呈现n型导电和p型导电,能会远超砷化镓、氮化镓和碳化硅等材料,是目前最有希望的宽禁带温半导材料。”

而问问题的潘诗妍,也同样被陈舟这利的叙述给惊到了。

收回思绪,陈舟轻声说:“普通半导材料受到自能的约束,在温条件下的应用会受到极大的限制。”

“此外,上世纪80年代,通过建立丝化学气相沉积装置,也就是hfcvd法,已经能够在非金刚石衬底上制备金刚石薄。到了90年代中期,金刚石沉积理论已经相对完善了。”

你们不是说找的是燕大数学系的人来帮忙吗?

“而且人造金刚石和天然金刚石的结构相同、能相近,也就很好的解决了金刚石来源的问题。”

“而金刚石半导迁移率、导率和低介电常数等优异的电学质,能够在频、大功率和压等十分恶劣的环境中运行。”

除了沈靖外,原本正在实验的研究员们也是一脸惊讶的回看着陈舟。

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